兵团重大科技计划项目结硕果
形成6至8英寸碳化硅晶片制备技术
在近日举行的第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议上，北京天科合达半导体股份有限公司发布了由该公司研发、兵团重大科技计划项目提供技术支撑的8英寸导电型碳化硅衬底晶片新产品，并宣布这一新产品将于2023年实现小批量量产。
中国科学院物理研究所研究员陈小龙表示，国际上已有关于8英寸导电型碳化硅衬底晶片研制成功相关报道，但迄今尚未有产品投放市场。该产品的成功研发，有助于增强我国碳化硅衬底晶片在国际市场的竞争力。
碳化硅等宽禁带半导体晶片制备是近年来国际半导体及材料领域研究和发展的热点，在国民经济、国防安全、社会民生等领域具有重要的战略作用。2018年，兵团科技局启动由新疆天科合达蓝光半导体有限公司主持，中国科学院物理研究所、北京天科合达半导体股份有限公司参与的“宽禁带半导体6至8英寸晶片制备及产业化开发”重大科技计划项目。该项目聚焦电力电子设备、电动汽车、智能电网、光伏并网发电、高端装备等领域对碳化硅电力电子器件的需求，进行科研攻关。截至目前，项目已取得丰硕成果，形成具有自主知识产权的6至8英寸碳化硅晶片制备技术，生产的碳化硅晶片质量达到国际一流水平。
北京天科合达半导体股份有限公司是国际碳化硅衬底产品主要供应商之一，入选2021年全球独角兽企业榜单。该公司副总经理、技术总监刘春俊介绍，在碳化硅器件生产各环节，衬底占成本近50%。衬底尺寸越大，单位衬底可制造芯片数量越多，单位芯片成本越低。8英寸衬底晶片产品比6英寸衬底晶片产品可多切近90%的芯片，边缘浪费率降低7%。
兵团科技局相关负责人表示，“宽禁带半导体6至8英寸晶片制备及产业化开发”重大科技计划项目取得的成果，对夯实我国宽禁带半导体产业发展基础，推动下游器件、模块及应用终端的发展和壮大，促进国内第三代半导体产业迅猛发展具有重大意义。
